Foi anunciado pela Samsung, um novo módulo de memória que contem 512 GB de RAM. Este componente é baseado no DDR5, e ele é feito com uma tecnologia de alto desempenho tendo o High-K Metal Gate (HKMG), este novo módulo anunciado pela empresa, promete estar trazendo um melhor desempenho.
Segundo a maior vendedora de celulares do mundo, o novo modulo estará entregando 7.200 Mbps, e comparado aos pentes do padrão DDR4, o novo pente estrega o dobro de desempenho, e trazendo uma transferência de 57,6 GB/s, além de estar trazendo uma melhor velocidade, também traz uma economia de energia de até 13%.
A Samsung vem usando a tecnologia HKMG, desde 2018. A melhora deste pente, é seu isolamento de corrente dos módulos de memória, e deixando de usar o silício e começando a utilizar novos metais para a construção de seus componentes.
Segundo a empresa, o novo pente de memória, contem a tecnologia TSV, que começou a ser utilizado pela empresa a parir de 2014. O módulo tem 512 GB e utiliza chips que contem oito camadas de DRAM, e conseguindo trazer 16Gb.
O DDR5, por enquanto não se encaixa ao mercado de PCs domésticos, e ele será utilizado apenas por computadores que são voltados para data centers. Segundo a Intel os novos pentes de memória da Samsung, os processadores Xeon ”Sapphire Rapids” que irão suportar os novos módulos, mas estes processadores ainda irão chegar este ano.
Com o passar do tempo, o uso do DDR5 em computadores domésticos, irá crescer muito, e junto será usado os novos processadores da AMD e também da Intel.
